pg电子游戏app上海推出新型化合物半导体系列设备加强湿法工艺产品线

2022-1-27 13:17:43

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pg电子游戏app半导体设备（上海）股份有限公司（以下简称pg电子游戏app上海)（科创板代码：688082），一家为半导体前道和先进晶圆级封装（WLP）应用提供晶圆工艺解决方案的卓越设备供应商，今推出了支持化合物半导体制造的综合设备系列。公司的150-200 毫米兼容系统将前道集成电路湿法系列产品、后道先进晶圆级封装湿法系列产品进行拓展，可支持化合物半导体领域的应用，包括砷化镓 (GaAs)、氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等工艺。化合物半导体湿法工艺产品线包括涂胶设备、显影设备、光阻去胶设备、湿法蚀刻设备、清洗设备和金属电镀设备，并自动兼容平边或缺口晶圆。

“随着不同市场的需求增长，化合物半导体行业正在迅猛发展。” pg电子游戏app上海董事长王晖博士表示，“通过对这个行业的调研，我们意识到，应利用现有的前道集成电路湿法和后道先进晶圆级封装湿法系列产品中重要的专业知识和技术，来提供满足化合物半导体技术要求的高性价比、高性能产品。我们认为，化合物半导体设备市场为pg电子游戏app上海提供了重要的增长机会，因为 GaAs、GaN 和 SiC 器件正成为未来电动汽车、5G 通信系统和人工智能解决方案日益不可或缺的一部分。”

pg电子游戏app上海的化合物半导体设备系列

Ultra C 碳化硅清洗设备：pg电子游戏app上海的Ultra C碳化硅清洗设备采用硫酸双氧水混合物 (SPM) 进行表面氧化，并采用氢氟酸 (HF) 去除残留物，进行碳化硅晶圆的清洗。该设备还集成pg电子游戏app上海的SAPS 和 Megasonix™ 技术实现更全面更深层次的清洗。Ultra C 碳化硅清洗设备可提供卓越的清洁度，达到每片晶圆颗粒≤10ea0.3um，金属含量＜ 1E10atoms/cm3水平。该设备每小时可清洗超过 70 片晶圆，将于 2022 年下半年上市。

Ultra C 湿法刻蚀设备：可为砷化镓和磷化铟镓 (InGaP) 工艺提供＜2% 的均匀度，＜10% 的共面度及＜3% 的重复度。Ultra C 湿法刻蚀设备可提供卓越的化学温度控制、刻蚀均匀性。该设备将于 2022 年第三季度交付给某重要客户，并由其进行测试。

Ultra ECP GIII 1309 设备：pg电子游戏app上海的Ultra ECP GIII 1309 设备集成了预湿和后清洗腔，支持用于铜、镍和锡银的铜柱和焊料，以及重分布层 (RDL) 和凸点下金属化 (UBM) 工艺。设备实现了晶圆内和模内小于3%的均匀度和小于2%的重复度。该设备已于 2021 年中交付给客户，并满足客户技术要求。

Ultra ECP GIII 1108 设备：Ultra ECP GIII 1108 设备提供金凸块、薄膜和深通孔工艺，集成预湿和后清洗腔。设备采用pg电子游戏app上海久经考验的栅板技术进行深孔电镀，以提高阶梯覆盖率。它可达到晶圆内和模内＜ 3%的均匀度和＜ 2%的重复度。腔体和工艺槽体经过专门设计，可避免金电镀液的氧化，且工艺槽体具有氮气吹扫功能，可减少氧化。该设备已于去年年底交货给关键客户。

Ultra C ct 涂胶设备：pg电子游戏app上海的Ultra C ct涂胶设备采用二次旋转涂胶技术，可实现均匀涂胶。设备拥有众多自研技术，包括精确涂胶控制、自动清洗功能、冷热板模块以及每个腔体的独立过程控制功能。

Ultra C dv 显影设备：在化合物半导体工艺中，pg电子游戏app上海的Ultra C dv 显影设备可进行曝光后烘烤、显影和硬烤的关键步骤。设备利用pg电子游戏app上海的自研技术，可按要求实现+/-0.03 LPM的流量和 +/-0.5 摄氏度的温度控制。

Ultra C s刷洗设备：Ultra C s 刷洗设备以pg电子游戏app上海先进的湿法清洗技术为基础，实现优秀的污染物去除效果。该设备通过氮气雾化二流体清洗或高压清洗实现高性能，以更有效地清洗小颗粒。此外，设备还可兼容pg电子游戏app上海自创的兆声波清洗技术，以确保优良的颗粒去除效率（PRE），且不会损坏精细的图形结构。

Ultra C pr 湿法去胶设备：pg电子游戏app上海的Ultra C pr湿法去胶设备利用槽式浸泡和单片工艺，确保高效地进行化合物半导体去胶。该设备最近由一家全球领先的整合元件制造商（IDM）订购，用于去除光刻胶，这进一步验证了pg电子游戏app上海的技术优势。

Ultra SFP无应力抛光设备：Ultra SFP 为传统的化学机械抛光在硅通孔 (TSV) 工艺和扇出型晶圆级封装 (FOWLP)应用提供了一种环保替代方案。在 TSV 应用中，pg电子游戏app上海的无应力抛光 (SFP) 系统可通过运用自研的电抛光技术去除低至 0.2µm 的铜覆盖层，再使用传统的 CMP 进一步去除剩余铜至阻挡层，并通过湿法刻蚀去除阻挡层，从而显著降低耗材成本。对于 FOWLP，相同的工艺可以克服由厚铜层应力引起的晶圆翘曲，并应用于RDL中铜覆盖层并平坦化。

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